Выращивание обогащенных германием твердых растворов Ge$_{1-x}$Si$_x$

Методом вертикальной направленной кристаллизации получен твердый раствор Ge$_{1-x}$Si$_x$ с расчетной концентрацией Si 0.6 at.%. Исследовано распределение Si вдоль оси роста кристалла и в нескольких поперечных сечениях. Результат исследований подтверждает получение твердого раствора. Характер изменения содержания кремния согласуется с представлениями о процессе кристаллизации твердого раствора с коэффициентом распределения кремния в германии ($k_{\mathrm{Si}}>$ 1).