Инжекционный отжиг гетероструктур на основе GaN и GaAs, облученных нейтронами и гамма-квантами

Показано, что облученные гамма-квантами GaAs- и GaN-гетероструктуры полностью восстанавливаются инжекционным током в отличие от образцов, облученных нейтронами. Обнаружен пороговый характер зависимости скорости инжекционного отжига от плотности тока. Пороговая плотность тока отжига в образцах, облученных нейтронами, на порядок больше, чем в образцах, облученных гамма-квантами. Результаты указывают на различную высоту потенциального барьера, создаваемого кластерами радиационных дефектов в GaN и GaAs.