Формирование дифракционной решетки на основе нанопористого германия имплантацией ионов висмута

Сформирована дифракционная решетка на основе слоя нанопористого Ge (PGe) методом облучения ионами $^{209}$Bi$^{++}$ подложки монокристаллического $c$-Ge (Bi:PGe) через сетчатую медную маску с размером ячеек 40 $\mu$m при энергии $E$ = 72 keV, плотности тока в ионном пучке $J$ = 5 $\mu$A/cm$^2$ и дозе $D$ = 6.2 $\cdot$ 10$^{15}$ ion/cm$^2$. В процессе ионной имплантации в немаскированных областях облучаемого $c$-Ge происходит распухание слоя Bi:PGe. Формирование периодических микроструктур Bi:PGe на поверхности $c$-Ge контролировалось методами оптической, электронной и зондовой микроскопии. Эффективность функционирования дифракционной решетки показана путем ее зондирования излучением гелий-неонового лазера.