Оптические потери в резонаторе полупроводникового лазера, сформированного фотонным кристаллом

Проведены расчеты распределения электромагнитного излучения и потерь на выход для резонатора полупроводникового лазера на основе двумерного конечного фотонного кристалла. Впервые построены зависимости выходных оптических потерь от размера отверстий в модели конечного фотонного кристалла. Для неизменного значения $\Gamma$-фактора фотонного кристалла величина размера отверстий влияет на локализацию лазерного излучения в центре резонатора. Увеличение размера отверстий приводит к увеличению силы распределенной обратной связи, снижает паразитные латеральные потери и увеличивает полезные потери с поверхности кристалла, что существенным образом влияет на излучательную эффективность лазера.