Релаксирующие слои карбида кремния на кремниевой подложке, выращенные магнетронным распылением

Магнетронным распылением получены эпитаксиальные слои карбида кремния 3C-политипа на подложках Si(111) структурного совершенства с $\omega_\theta$ = 1.4$^\circ$. Методами рентгеновской дифракции, комбинационного рассеивания света и атомно-силовой микроскопии исследована кристаллическая структура и морфология поверхностей 3C-SiC/Si(111) гетероструктур в зависимости от толщины пленок. Замечено, что при магнетронном распылении дополнительная энергия ионизированных частиц, привносимая к подложке Si(111), способствует формированию сильных C–C и $\beta$-SiC связей, что затрудняет пересечение границы зерен дислокациями с увеличением времени роста.