Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена

Представлены результаты исследования структурно-фазовых превращений на поверхности GaP(111) после термической обработки в парах селена в камере квазизамкнутого объема в вакууме. Электрофизические характеристики диодов с барьером Шоттки на GaP(111) исследовали до и после обработки в парах селена путем измерения вольт-амперных характеристик и методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Установлено, что после обработки в парах селена появляется зависимость высоты барьера Шоттки от работы выхода металла в соответствии с правилом Шоттки–Мотта для идеального диода. Показано, что снижение плотности поверхностных электронных состояний в GaP(111) обусловлено образованием поверхностной фазы Ga$_2$Se$_3$(111) $(\sqrt{3}\times\sqrt{3})$-$R$30$^\circ$ с упорядоченными стехиометрическими вакансиями галлия.