RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 4, страницы 16–22 (Mi pjtf8078)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Фотоэлектрические свойства гетероструктур $n$-TiO$_2$/$p$-Co$_{0.7}$Ni$_{0.3}$O

Г. И. Клетоab, А. И. Савчукab, В. З. Цалыйab, В. Г. Юрьевab, И. В. Докторовичab

a Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
b ЦКБ "Ритм", Черновцы, Украина

Аннотация: Измерены основные фотоэлектрические параметры пленочных гетероструктур $n$-TiO$_2$/$p$-Co$_{0.7}$Ni$_{0.3}$O, полученных путем последовательного распыления металлических мишеней в окислительной атмосфере. Спектральный диапазон чувствительности гетероструктур находится в границах 225–385 nm при отсутствии фотосигнала в видимой части спектра. Изготовленные структуры могут использоваться в качестве фотосенсоров с высокой спектральной избирательностью.

Поступила в редакцию: 15.08.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:2, 149–151

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025