Образование дворика кристаллизации в эвтектических системах и рост кристаллов

Исследован так называемый дворик кристаллизации, образующийся в процессах массовой кристаллизации вокруг кристаллов Ge, Si и их твердых растворов (Ge + Si) при охлаждении заэвтектических составов в эктектических системах Ge–Al, Si–Al и (Ge + Si)-Al. Впервые приводятся данные о составе и микротвердости такого дворика и показана его роль как стопора процесса распространения трещин в системе Al–(Ge,Si) при быстром охлаждении после выключения нагревательной системы. Впервые высказано предположение об образовании дворика кристаллизации во всех заэвтектических системах (к таким системам относятся все системы, в которых количество взятого растворителя не соответствует эвтектической точке).