Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Hg$_3$In$_2$Te$_6$

Впервые получены фоточувствительные анизотипные гетероструктуры $n$-TiN/$p$-Hg$_3$In$_2$Te$_6$ путем напыления тонкой пленки нитрида титана ($n$-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины Hg$_3$In$_2$Te$_6$ $p$-типа проводимости. Установлено, что гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода $V_{oc}$ = 0.52 V, ток короткого замыкания $I_{sc}$ = 0.265 mA/cm$^2$ и коэффициент заполнения $FF$ = 0.39 при освещении 80 mW/cm$^2$.