Структурные свойства эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$, полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC с Al

Новым способом получены эпитаксиальные слои твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$ с составами $x\approx$ 0.12 и $x$ = 0.64 без макроскопических структурных искажений. Установлено, что зависимость параметров кристаллических решеток эпитаксиальных пленок от их состава подчиняется закону Вегарда с точностью $\sim$ 0.03. Это подтверждает образование твердых растворов изоморфного замещения в системе SiC–AlN.