В. Н. Маслов, В. М. Крымов, М. Н. Блашенков, А. А. Головатенко, В. И. Николаев, “Выращивание кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ из собственного расплава”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 7,страницы 56

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Выращивание кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ из собственного расплава

В. Н. Маслов^abcd, В. М. Крымов^abcd, М. Н. Блашенков^abcd, А. А. Головатенко^abcd, В. И. Николаев^abcd

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d ООО "Лабтехноком"

Аннотация: Проведены исследования применимости ряда недрагоценных материалов для роста кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом свободной кристаллизации в тигле. Показана возможность выращивания кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ в тиглях из монокристаллического сапфира. Исследованы основные закономерности роста и свойства полученных кристаллов.

Поступила в редакцию: 24.11.2013