Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана

Продемонстрированы возможности нового способа выращивания нитрид-галлиевых нитевидных нано- и микрокристаллов с использованием сплошных пленок титана толщиной 10–30 nm в процессе роста. Показано, что такой способ может обеспечить рост GaN нитевидных нанокристаллов высокого качества с рекордно высокой скоростью порядка 10 $\mu$m/min.