Образование центров окраски в тонком слое кристаллов LiF под действием ВУФ-излучения барьерного разряда

Под действием излучения барьерного разряда в поверхностном слое кристалла фторида лития, использованного в качестве диэлектрического барьера, создаются люминесцирующие центры окраски. По кинетике затухания и спектрам люминесценции установлено, что это $F^+_3$- и $F_2$-центры. Основным механизмом генерации структурных дефектов является фотонный механизм, т. е. механизм образования дефектов, вследствие создания электронно-дырочных пар, в результате поглощения фотонов барьерного разряда. Барьерный разряд в различных газах может быть успешно использован для создания на поверхности прозрачных диэлектриков тонких слоев, содержащих центры люминесценции для различных научных и технологических приложений.