Прямые и непрямые механизмы оже-рекомбинации в $n$-InGaN

Представлен численный анализ оже-рекомбинации в нитридных соединениях In$_x$Ga$_{1-x}$N $n$-типа при $T$ = 300 K. Скорость рекомбинации рассчитывалась исходя из зонной структуры и волновых функций, полученных методом эмпирического псевдопотенциала. Непрямой оже-процесс с участием фононов анализировался с помощью как теории возмущений второго порядка, так и метода функций спектральной плотности. Показано, что для соединений, которые излучают в видимой спектральной области, оже-коэффициент изменяется от 3.1 $\cdot$ 10$^{-30}$ до 2.0 $\cdot$ 10$^{-32}$ cm$^6$/s, причем непрямая рекомбинация в этих соединениях играет второстепенную роль.