Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN

Проведено теоретическое исследование начальной стадии роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов (ННК) GaN на подложке AlN(0001)/Si(111). Расчеты произведены в рамках модели формирования квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Вычислена поверхностная плотность островков GaN, формирование которых предшествует образованию ННК. Рассчитана плотность ННК GaN как функция потока галлия и времени осаждения при росте методом молекулярно-пучковой эпитаксии.