Аннотация:
Рассматриваются особенности метода измерения фемтосекундных времен релаксации свободных носителей заряда в созданных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии слоях арсенида галлия. Используется вариант метода pump-probe, при котором пучки накачки и зондирующего излучения направляются на поверхность полупроводникового образца под углом Брюстера. Предложенный в данной работе вариант метода pump-probe обеспечивает регистрацию изменения наведенного показателя преломления в условиях даже малых сигналов, что, в свою очередь, обеспечивает высокую чувствительность регистрации. Показано, что вблизи угла Брюстера относительные изменения сигнала максимальны.