Аннотация:
Продемонстрирована возможность создания гибридной нанокомпозитной структуры на основе интеграции полупроводниковых материалов разной размерности – массива квазиодномерных нитевидных нанокристаллов GaAs, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(111) и нульмерных коллоидных квантовых точек PbS. Исследованы морфологические и спектральные свойства полученной системы.