RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 13, страницы 36–43 (Mi pjtf8194)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния

А. И. Хребтовabcdefgh, В. Г. Талалаевdcabefhg, Ю. Б. Самсоненкоdbcaefhg, P. Wernerg, В. В. Руцкаяcdbefhga, М. В. Артемьевi, Г. Э. Цырлинbcadefhg

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
e ОАО "ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
f Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
g Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany, 06120 Halle, Germany
h Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия
i Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, г. Минск

Аннотация: Продемонстрирована возможность создания гибридной нанокомпозитной структуры на основе интеграции полупроводниковых материалов разной размерности – массива квазиодномерных нитевидных нанокристаллов GaAs, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(111) и нульмерных коллоидных квантовых точек PbS. Исследованы морфологические и спектральные свойства полученной системы.

Поступила в редакцию: 20.02.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:7, 558–561

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025