RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1985
, том 11,
выпуск 6,
страницы
368–371
(Mi pjtf820)
Фотолюминесценция ионно-имплантированного
$Ga\,As$
после наносекундного лазерного воздействия
Е. Н. Арутюнов
,
А. Н. Васильев
,
С. Ю. Карпов
,
Ю. В. Ковальчук
,
В. Е. Мячин
,
И. А. Соколов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию:
22.11.1984
Полный текст:
PDF файл (403 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024