RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1985, том 11, выпуск 6, страницы 368–371 (Mi pjtf820)

Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия

Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 22.11.1984



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024