Нестационарная локальная переориентация нематика в ячейке с кремниевым $p$–$n$-переходом

Впервые сообщается о наблюдении эффекта локальной нестационарной переориентации нематика, который инициируется обратно смещенным $p$–$n$-переходом в ячейке с подложкой Si. Скорость перемещения, дистанция, на которую перемещается полоса переориентированного нематика, на порядок превышающая толщину ячейки, определяются напряжением смещения $p$–$n$-перехода, а ее профиль зависит от распределения поверхностной проводимости, которая в работе задается облучением ионами Ga (30 keV) или генерацией неравновесных носителей заряда в кремнии светом. Локальная переориентация нематика и обеднение поверхности кремния объясняются влиянием поля объемного заряда в жидком кристалле.