Бесконтактный перенос изображения через газовую фазу в термически активированном процессе

Исследован процесс осаждения слоев оксида гафния в щелевых структурах с помощью импульсного варианта MO CVD с дискретной дозировкой реагентов. В качестве прекурсора использовали тетракис-дипивалоилметанат гафния (Hf(thd)$_4$), а газа-реактанта – кислород. Щелевая структура образована пластиной кремния и стеклянной пластиной со сформированным на нем рисунком хрома. Ширину щели варьировали в интервале 0.1–2.0 mm, при этом аспектное отношение менялось 150–30. Полученные слои были исследованы методом сканирующей эллипсометрии. Обнаружен эффект пространственного переноса изображения с одной подложки на противоположную в виде рельефной наноразмерной пленки оксида гафния, которая повторяет рисунок хрома. Координатное разрешение рисунка по плоскости в проведенных экспериментах достигало 0.025 mm. Данный эффект может быть использован для нелитографического метода формирования изображений пленочных структур.