Разработка подхода формирования эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ с высокой токонесущей способностью

Предложен подход, основанный на формировании многослойных эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$. Применение интерслоев более простых кубических оксидов SrTiO$_3$ и CeO$_2$ позволяет останавливать рост кристаллических дефектов при формировании ВТСП слоя. Обнаружен эффект перетекания тока через интерслои толщиной 10–50 nm. Применение данного подхода позволяет увеличивать токонесущую способность кратно числу ВТСП слоев. Предложенный подход принципиально решает проблему деградации критической плотности тока с толщиной слоя YBa$_2$Cu$_3$O$_x$.