Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением

Методами электронной микроскопии исследовано воздействие наносекундных импульсов излучения рубинового лазера на структурное состояние и морфологию эпитаксиальных слоев твердого раствора SiO$_{0.5}$Ge$_{0.5}$ на кремнии с инициированием фазового перехода кристалл–расплав. Получены данные о фотоэлектрических параметрах лазерно-модифицированных слоев, обладающих ячеистой структурой вследствие сегрегации германия на стадии отвердевания бинарного расплава.