RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 3, страницы 63–71 (Mi pjtf8403)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

О роли дефектов кристаллической решетки в формировании адсорбционных свойств графена

З. З. Алисултановab, Р. П. Мейлановab, А. К. Нуховab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Дагестанский государственный университет, г. Махачкала

Аннотация: В рамках модели Андерсона рассмотрена задача об адсорбции на неупорядоченном графене. Получены аналитические выражения для плотности состояний изолированного неупорядоченного графена и атома, адсорбированного на нем. Продемонстрировано влияние дефектов типа вакансий на адсорбированные характеристики адатома. Сделаны оценки величины переходящего заряда для атомов переходных металлов.

Поступила в редакцию: 19.09.2012


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:2, 171–174

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025