П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, Е. В. Гущина, Е. Дургун Збен, Е. Ляхдеранта, А. Н. Титков, “Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких диэлектрических слоях LaScO$_3$ на Si подложке”, Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 9,страницы 47

Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких диэлектрических слоях LaScO$_3$ на Si подложке

П. А. Алексеев^ab, М. С. Дунаевский^ab, Е. В. Гущина^ab, Е. Дургун Збен^c, Е. Ляхдеранта^d, А. Н. Титков^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
^c Peter Grunberg Insitute 9 (PGI-9-IT) and JARA-FIT, Research Center Julich, D-52425 Julich,German
^d Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta FI-53851, Finland

Аннотация: Методом кельвин-зонд-микроскопии исследовалась утечка зарядов в нанотонких слоях LaScO$_3$ на подложке Si. Обнаружено, что в этой системе имеет место утечка зарядов из слоя LaScO$_3$ в интерфейсный слой на границе с Si с последующими латеральным разбеганием зарядов уже в плоскости интерфейсного слоя и одновременным уходом в подложку Si. Непосредственно в слое LaScO$_3$ латерального разбегания зарядов не наблюдалось.

Поступила в редакцию: 09.01.2013