RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 11, страницы 7–12 (Mi pjtf8509)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Микроканальный лавинный фотодиод с быстрым временем восстановления параметров

З. Садыговabcde, Х. Абдуллаевabcde, Н. Анфимовabcde, Р. Мадатовabcde, Р. Мухтаровabcde, А. Ольшевскийabcde, А. И. Титовabcde

a Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.
b Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва
c Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143, Баку, Азербайджан
d Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, AZ-1143, Баку, Азербайджан
e Азербайджанская национальная академия авиации, AZ-1045, Баку, Азербайджан

Аннотация: Рассмотрены конструкция и принцип работы нового микроканального лавинного фотодиода с быстрым временем восстановления параметров. Отличительной чертой нового прибора является то, что при рабочем потенциале на приборе $n^+$-области (пиксели), глубоко погруженные в эпитаксиальный слой $p$-типа проводимости, полностью обедняются, и поэтому исключается возможность накопления в них умноженных носителей заряда. Это позволяет достичь времени восстановления пикселей прибора около 50 ns при коэффициенте усиления фототока, равном 250.

Поступила в редакцию: 07.02.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:6, 498–500

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025