Формирование диэлектрических барьеров в ферромолибдате стронция и туннельный магниторезистивный эффект

Сравнительные исследования однофазного металлоксидного соединения ферромолибдата стронция и Sr$_2$FeMoO$_{6-\delta}$, подвергнутого дополнительному изотермическому воздействию, показали, что по данным рентгеновской дифракции после термообработки образуется фаза SrMoO$_4$. Методом малоуглового рассеяния нейтронов установлено, что SrMoO$_4$ образует диэлектрическую оболочку вокруг зерен Sr$_2$FeMoO$_{6-\delta}$ с характерной толщиной порядка 2–4 nm и протяженностью свыше 120 nm. Изменение температурных зависимостей электросопротивления от металлического типа проводимости в однофазном Sr$_2$FeMoO$_{6-\delta}$ к полупроводниковому в материале с диэлектрической оболочкой свидетельствует о возникновении туннельного механизма переноса заряда. Это подтверждается увеличением отрицательного магниторезистивного эффекта однофазного соединения за счет появления туннельного магнитосопротивления того же знака.