Проблемы измерения параметров элементов и структур современной микро- и наноэлектроники на примере диффузионно-барьерных структур TiN/Ti

Представлены результаты комплексного исследования технологических параметров диффузионно-барьерных структур TiN/Ti, применяемых в современной микроэлектронной технологии. Для обеспечения достоверности результатов спектральной эллипсометрии, стандартного метода послеоперационного контроля таких структур на этапе тестирования технологического процесса предложен комплексный подход, заключающийся в совместной обработке данных просвечивающей электронной микроскопии и относительной рентгеновской рефлектометрии. Полученная информация использована при расчете дисперсии оптических коэффициентов спектральной эллипсометрии, зависящих от особенностей технологического процесса и необходимых для анализа параметров изготовленных диффузионно-барьерных структур.