RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 18, страницы 70–77 (Mi pjtf8600)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs

А. М. Надточийabcd, Н. В. Крыжановскаяabcd, М. В. Максимовabcd, А. Е. Жуковabcd, Э. И. Моисеевabcd, М. М. Кулагинаabcd, К. А. Вашановаabcd, Ю. М. Задирановabcd, И. С. Мухинabcd, Е. М. Аракчееваabcd, D. Livshitsabcd, А. А. Липовскийabcd

a Санкт-Петербургский Академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия
d Innolume GmbH, 44263 Dortmund, Deutschland

Аннотация: Методом спектроскопии фотолюминесценции исследованы микродисковые резонаторы на основе квантовых точек InAs/GaAs, отделенные от подложки GaAs селективным травлением и смонтированные на подложку кремния с помощью эпоксидного клея. Дисковый резонатор диаметром 6 $\mu$m продемонстрировал квазиодночастотную лазерную генерацию при температуре 78 K с пороговой мощностью 320 $\mu$W и $\lambda/\Delta\lambda$ $\sim$ 27 000.

Поступила в редакцию: 01.04.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:9, 830–833

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025