Образование скрытых проводящих каналов при бомбардировке германия протонами высоких энергий

Обнаружено, что при облучении протонами кристаллов германия на установке сканирующего ядерного микрозонда образуются скрытые каналы с высокой дырочной проводимостью. Показано, что механизм модификации материала аналогичен наблюдавшемуся на поверхностях, получаемых механическим раскалыванием образцов. Возникающие при торможении протонов оборванные связи кристаллической решетки играют роль акцепторных центров. Установлено, что значения подвижности в таких каналах близки к реализующимся в монокристаллическом материале. Рассмотренный способ протонного легирования может быть использован для создания высокопроводящих нанофрагментированных слоев и квантовых точек.