RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1985, том 11, выпуск 9, страницы 550–553 (Mi pjtf862)

Излучательные свойства эпитаксиальных слоев $Ga\,As$, отделенных от подложки

В. В. Дороган, В. В. Негрескул, В. Г. Трофим, В. А. Чумак

Кишиневский политехнический институт им. Сергея Лазо

Поступила в редакцию: 12.12.1984



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024