Переход металл–изолятор в эпитаксиальных пленках манганитов LaMnO$_3$, выращенных магнетронным распылением

Обнаружено, что тонкие пленки манганита LaMnO$_3$, выращенные методом высокочастотного магнетронного распыления при высоком давлении на подложках с кубической симметрией кристаллической структуры, испытывают переход металл–изолятор, в то время как для орторомбических подложек LaMnO$_3$ остается в диэлектрическом состоянии. Исследованы зависимости параметров этого перехода от величины и симметрии механических напряжений, возникающих при эпитаксиальном росте пленки LaMnO$_3$ на различных подложках. Исследована зависимость резистивных свойств пленок LaMnO$_3$ на подложке SrTiO$_3$ от их толщины. Показано, что наличие избыточного кислорода с замещением в системе катионов может существенно влиять на соотношение концентраций ионов Mn$^{4+}$/Mn$^{3+}$ в пленке и приводить к появлению перехода металл–изолятор.