Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO$_2$

Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO$_2$. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO$_2$. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO$_2$.