Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой

Приведены результаты сравнительных исследований структурных параметров, статических и динамических характеристик вертикально-излучающих лазеров (VCSEL) с микрорезонаторами на основе Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As и Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As. Вследствие вертикального окисления слоев микрорезонатора Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As при формировании оксидной токовой апертуры происходит значительное увеличение толщины оксида, приводящее к существенному уменьшению паразитной емкости прибора и увеличению в 1.7–2 раза частоты отсечки низкочастотного фильтра, образованного паразитными элементами электрической эквивалентной схемы.