Рост полупроводниковых нитевидных нанокристаллов при больших диффузионных длинах

Найдена универсальная асимптотика для закона роста нитевидного нанокристалла (ННК) в случае, когда диффузионная длина адатомов на поверхности подложки много больше радиуса ННК, а диффузионная длина на боковой поверхности много больше длины ННК. Определены основные стадии роста, характеризующиеся различными зависимостями длины ННК от радиуса и времени осаждения. Рассмотрены возможные асимпотические режимы эпитаксиального роста ННК: экспоненциальный рост и ограниченный рост до некоторой критической толщины, зависящие от направления диффузионного потока на боковой поверхности ННК.