Аннотация:
Показана принципиальная возможность формирования полупроводниковых гетеропереходов в системах AgI–Ag$_2$HgI$_4$–HgI$_2$ и CuI–Cu$_2$HgI$_4$–HgI$_2$, образованных в результате контролируемых диффузией твердофазных химических реакций. Методами экситонной спектроскопии и рентгено-спектрального микроанализа получены концентрационные профили диффундирующих ионов в образованных системах. Измерены ВАХ гетерограниц между тройным соединением и бинарными кристаллами в темноте и при освещении.