Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения

Методом импульсного лазерного осаждения на металлических лентах RABiTS сформированы эпитаксиальные пленки CeO$_2$ и Y$_2$O$_3$. Проведено исследование зависимости кристаллической ориентации пленок от температуры синтеза. Показано, что пленки Y$_2$O$_3$ формируются со 100%-й ориентацией (100), в то время как в пленках CeO$_2$ во всем диапазоне температур роста присутствует паразитная ориентация. Острота текстуры в плоскости подложки составила 8$^\circ$. Исследования поверхности пленок показали, что в пленках CeO$_2$ при увеличении температуры синтеза возникают трещины, поверхность пленок Y$_2$O$_3$ является сплошной во всем диапазоне температур синтеза. Пленки Y$_2$O$_3$ наиболее соответствуют требованиям, предъявляемым к затравочным слоям: являются эпитаксиальными с кристаллической ориентацией (100), наследуют текстуру подложки, поверхность является гладкой, без наличия трещин.