Н. А. Иванов, Е. В. Митин, В. В. Пашук, М. Г. Тверской, “Отказы мощных полевых транзисторов под действием протонов”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 2,страницы 12

Отказы мощных полевых транзисторов под действием протонов

Н. А. Иванов^ab, Е. В. Митин^ab, В. В. Пашук^ab, М. Г. Тверской^ab

^a Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Гатчина
^b Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано воздействие протонов с энергией 1000 MeV на ряд типовых мощных полевых транзисторов, изготовленных по микроэлектронной технологии. Показано, что под действием протонов в этих изделиях происходит пробой подзатворного окисла, приводящий к “катастрофическому отказу” прибора. Предложена модель возникновения этих отказов, основанная на образовании в чувствительной области транзисторов быстрых остаточных ядер в результате ядерных реакций протонов с ядрами атомов полупроводникового материала.

Поступила в редакцию: 27.07.2010