Особенности формирования CoSi$_2$ при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si(100)

Для формирования CoSi$_2$ в качестве исходной была выбрана структура Ti(8 nm)/Co(10 nm)/Ti(5 nm)/Si(100)-подложка, полученная магнетронным распылением. После двухстадийного быстрого термического отжига (БТО) в азоте образцы структур на каждой стадии исследовались с помощью времяпролетной ВИМС, ОЭС, СЭМ и рентгеновского энергодисперсионного анализа. В результате БТО-1 (550$^\circ$C, 45 s) образуется поверхностный “жертвенный” слой TiN$_x$O$_y$ с захватом остаточной примеси (O, C и N) из внутренних границ раздела исходной структуры. После химического удаления слоев TiN$_x$O$_y$ и обогащения кобальтом в результате БТО-2 (830$^\circ$C, 25 s) формировалась низкорезистивная фаза CoSi$_2$.