М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков, “Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 4,страницы 1

Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)

М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Впервые продемонстрирована возможность изготовления на основе гетероструктуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/Si(310) линейчатого инфракрасного фотоприемника формата 288 $\times$ 4 для длинноволновой (8–12 $\mu$m) области инфракрасного спектра.

Поступила в редакцию: 01.09.2010