М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, J. W. Palmour, A. K. Agarwal, М. К. Das, “Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодов под действием импульсов прямого тока”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 8,страницы 7

Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодов под действием импульсов прямого тока

М. Е. Левинштейн^a, П. А. Иванов^a, J. W. Palmour^b, A. K. Agarwal^b, М. К. Das^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham NC 27703, USA

Аннотация: Деградация карбидкремниевых диодов под действием прямого тока впервые исследована в импульсном режиме. Показано, что при длине токовых импульсов, меньшей нескольких миллисекунд, деградация оказывается существенно меньшей, чем в режиме постоянного тока при одинаковом заряде, протекшем через диодную структуру. Впервые наблюдалось также частичное самовосстановление (уменьшение деградации со временем) при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 11.10.2010