Влияние ультрамалых доз ионизирующего излучения на диэлектрические свойства кристаллов CdZnTe с аномально высокой поляризуемостью

Обнаружено влияние ультрамалых экспозиционных доз (10–45 R) гамма-излучения на обе части комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов CdZnTe в низкочастотной области. Показано, что в основе этого эффекта лежат изменения системы собственных дефектов структуры, связанные с отклонением состава кристалла от стехиометрического, а также крупномасштабные флуктуации электрического потенциала ростовой природы.