Исследование возможности формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии

Экспериментально изучена возможность формирования массивов квантовых точек InAs на подложке GaAs (100) капельным методом в условиях низкотемпературной (160–360$^\circ$C) МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что разложение триметилиндия, использовавшегося в качестве источника In, происходит даже при наиболее низких температурах указанного диапазона. Высота образующихся на поверхности подложки капель составляла от 3 до 12 nm при плотности $\sim$0.4 $\cdot$ 10$^9$–1.4 $\cdot$ 10$^9$ cm$^{-2}$ в зависимости от условий осаждения. Показано, что для сохранения геометрических размеров нанокристаллов InAs, образующихся на этапе последующей обработки, необходимо использовать повышенную подачу арсина.