Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии

Исследованы условия осаждения капель In на подложке GaAs (100) при низкотемпературном (100$^\circ$C) разложении триметилиндия. Показано, что для устранения частичного слияния капель можно использовать последующую термическую обработку образцов для испарения избыточного индия. При температурах термообработки 350–500$^\circ$C изменение состава капель индия за счет подрастворения подложки мало и слабо влияет на возможное изменение состава квантовых точек.