Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GaPN(As) на подложках кремния

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств $p$–$i$–$n$-гетероструктур на основе твердых растворов GaPN и GaPNAs, выращенных на подложках кремния. Исследования вольт-амперных характеристик и спектров внешней квантовой эффективности продемонстрировали, что структуры на основе четверных твердых растворов GaPNAs обладают бо́льшим потенциалом по сравнению с тройными твердыми растворами GaPN, не содержащими мышьяка. Для структур на основе GaPNAs, несмотря на меньшую ширину запрещенной зоны, достигнуто более высокое значение напряжения холостого хода (0.78 V), чем для $p$–$i$–$n$ GaPN-гетероструктур, что свидетельствует о меньшей концентрации дефектов в слоях GaPNAs.