Терагерцевая генерация в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$c$-Si при возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Приведены результаты исследования генерации терагерцевого (THz) излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si при их фотовозбуждении фемтосекундным лазерным излучением с длинами волн 400 и 800 nm. Обнаружено возрастание дифференциальной эффективности THz-генерации в несколько раз при переходе от длинноволновой к коротковолновой накачке. Наблюдается также уширение амплитудного спектра THz-излучения и увеличение его верхней граничной частоты (по уровню 0.01 от максимума) до значений порядка 2.7 THz.