Влияние ультразвуковой обработки на генерационные характеристики границы раздела полупроводник–стекло

Показана возможность определения временной зависимости скорости поверхностной генерации носителей заряда по кинетике релаксации емкости структур металл–стекло–полупроводник. Установлено, что ультразвуковая обработка границ раздела полупроводник–стекло приводит к изменению временно́й зависимости, уменьшая абсолютное значение скорости поверхностной генерации.