А. Н. Акимов, А. В. Беленчук, А. Э. Климов, М. М. Качанова, И. Г. Неизвестный, С. П. Супрун, О. М. Шаповал, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Тонкопленочные структуры PbSnTe : In/BaF$_2$/CaF$_2$/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 2009, том 35, выпуск 11,страницы 88

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Тонкопленочные структуры PbSnTe : In/BaF$_2$/CaF$_2$/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона

А. Н. Акимов^ab, А. В. Беленчук^ab, А. Э. Климов^ab, М. М. Качанова^ab, И. Г. Неизвестный^ab, С. П. Супрун^ab, О. М. Шаповал^ab, В. Н. Шерстякова^ab, В. Н. Шумский^ab

^a Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
^b Институт электронной инженерии и промышленных технологий АН Молдовы, Кишинев, Республика Молдова

Аннотация: Впервые описано создание матричных фотоприемников форматом 288 $\times$ 2 с размером элемента 25 $\times$ 25 $\mu$m на основе структур PbSnTe : In/BaF$_2$/CaF$_2$/Si и приведены пороговые характеристики этих структур. Обнаружительная способность около 90% элементов составляет от 7.2 $\cdot$ 10$^{12}$ до 8.7 $\cdot$ 10$^{12}$ cm $\cdot$ Hz$^{0.5}$/W при $T$ = 21.2 K. Разработанная технология открывает возможности создания монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона.

Поступила в редакцию: 17.10.2008