RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1985, том 11, выпуск 18, страницы 1114–1118 (Mi pjtf995)

Эффект малых доз и деградационная стойкость $In_x\,Ga_{1-x}\,As:Si$ светоизлучающих диодов

Т. В. Торчинская, Г. Н. Семёнова, Т. Г. Бердинских

Институт полупроводников АН УССР, Киев

Поступила в редакцию: 25.06.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024