Получение и механизмы электропроводности тонких плёнок дираковского полуметалла $Cd_3As_2$

В работе описывается метод выращивания высококачественных тонких пленок $Cd_3As_2$. Измерена зависимость электропроводности от температуры в интервале от 3 К до 300 К. В области гелиевых температур определен диапазон реализации механизма прыжковой проводимости с переменной длинной прыжка по Шкловскому-Эфросу. В плотности локализованных состояний вычислены радиус локализации носителей заряда, ширина кулоновской $\triangle= 0.095$ мэВ и жёсткой щели $\delta = 0.002$ мэВ.