RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Прикладная математика & Физика // Архив

ПМ&Ф, 2022, том 54, выпуск 3, страницы 186–191 (Mi pmf348)

ФИЗИКА. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

Квантовые поправки к проводимости в аморфном полупроводнике

Т. Б. Никуличеваa, Е. А. Пилюкa, О. Н. Ивановa, А. А. Морочо Амбойяb, М. Н. Япрынцевa

a Белгородский государственный национальный исследовательский университет
b Высшая политехническая школа Чимборасо

Аннотация: В данной работе представлены результаты исследования магнитосопротивления (МС) тонкой пленки арсенида кадмия, нанесенной на подложку из лейкосапфира. При изучении МС наблюдался эффект слабой антилокализации, возникающий из-за поверхностных состояний. Наблюдаемый эффект хорошо описывается моделью Хиками – Ларкина – Нагаоки. Расчетное значение длины фазовой когерентности $L_{\phi}$ изменяется в зависимости от температуры T по степенному закону $L_{\phi} \sim T^{-1/2}$, что свидетельствует о наличии двумерных топологических поверхностных состояний.

Ключевые слова: дираковский полуметалл, арсенид кадмия, тонкие пленки, слабая антилокализация.

Поступила в редакцию: 30.09.2022
Принята в печать: 30.09.2022

DOI: 10.52575/2687-0959-2022-54-3-186-191



© МИАН, 2024